DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2016.39.12-22

Електронна структура Ag2SiS3

Д. И. Блецкан, В. В. Вакульчак, А. В. Лукач, И. П. Студеняк

Анотація


Вперше ab initio методом функціонала густини в LDA і LDA+U-наближеннях розраховані енергетична зонна структура, повна і парціальні густини станів кристала Ag2SiS3. Даний кристал є непрямозонним напівпровідником з розрахованою в LDA+U-наближенні шириною забороненої зони Egd = 2.55 еВ. Валентна зона Ag2SiS3 містить чотири енергетично відокремлені групи заповнених підзон. Особливістю будови електронно-енергетичної структури кристала Ag2SiS3 є перекривання по енергії заповнених d-станів атомів Ag, з делокалізованими валентними станами p-симетрії атомів сірки у відносній близькості до вершини валентної зони.

Ключові слова


електронна зонна структура; густина станів; теорія функціонала густини; просторовий розподіл валентного заряду; хімічний зв'язок

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Boivin J.-C., Thomas D., Tridot G. Contribution a l'etude des systemes: sulfure de silicium et sulfure de cuivre ou d'argent // C. R. Acad. Sci. Ser. C. – 1967. – V. 264. – P. 1286–1289.

Gоrochov O., Flahaut J. Les composes Ag8MX6 avec M = Si, Ge, Sn et X = S, Se, Te // C. R. Acad. Sci. Ser. C. – 1967. – V. 264. – P. 2153–2155.

Mandt J., Krebs B. Darstellung, Struktur und Eigenschaften von Ag10Si3S11 // Z. Anorg. Allg. Chem. – 1976. – V. 420, № 1. – P. 31–39.

Venkatraman M., Blachnik R., Schlieper A. The phase diagrams of M2X-SiX2 (M is Cu, Ag; X is S, Se) // Thermochim. Acta. – 1995. – V. 249. – P. 13–20.

Кохан О.П. Взаємодія у системах Аg2Х–ВIVХ2 (BIV– Si, Ge, Sn; X–S, Se) і властивості сполук : автореф. дис. … канд. хім. наук / Ужгород. держ. ун-т. – Ужгород, 1996. – C. 21.

Pradel A., Taillades G., Ribes M., Eckert H. 29Si NMR structural studies of ionically conductive silicon chalcogenide glasses and model compounds // J. Non-Cryst. Solids. – 1995. – V. 188, № 1–2. – P. 75–86.

Peng H., Machida N., Shigematsu T. Preparation of silver ion conducting amorphous materials in the system Ag2S–SiS2 by mechanical milling processes // J. Mater. Chem. – 2002. – V.12. – P. 1094–1098.

Zhbankov O., Fedorchuk A., Kityk I., Olekseyuk I., Parasyuk O. Crystal structure of the Ag2SiS3 compound // J. Alloys Compd. – 2011. – V. 509, № 12. – P. 4372–4374.

Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous Electron Gas // Phys. Rev. – 1964. –

V. 136, № 3. – P. B864–B871.

Kohn W., Sham L.J. Self-Consistent Equations Including Exchange and Correlation Effects // Phys. Rev. – 1965. – V. 140, № 4. – P. A1133–A1138.

Anisimov V.I., Aryasetiawan F., Lichtenstein A.I. First-principles calculations of the electronic structure and spectra of strongly correlated systems: the LDA+ U method // J. Phys.: Condens. Matter. – 1997. – V. 9, № 4. – P. 767–808.

Cococcioni M., de Gironcoli S. Linear response approach to the calculation of the effective interaction parameters in the LDA+U method // Phys. Rev. B. – 2005. – V. 71. – P. 035105-1–035105-16.

Soler J.M., Artacho E., Gale J.D. García A., Junquera J., Ordejón P., Sánchez-Portal D. The SIESTA method for ab initio order-N materials simulation // J. Phys.: Condens. Matter. – 2002. – V. 14, № 11. – P. 2745–2779.

SIESTA is both a method and its computer program implementation, to perform efficient electronic structure calculations and ab initio molecular dynamics simulations of molecules and solids [Електронний ресурс] / Режим доступу : http://icmab.cat/leem/siesta.

Chadi D.J., Cohen M.L. Special Points in the Brillouin Zone // Phys. Rev. B. – 1973. – V. 8, № 12. – P. 5747–5753.

Monkhorst H.J., Pack J.D. Special points for Brillouin-zone integrations // Phys. Rev. B. – 1976. – V. 13, № 12. – P. 5188–5192.

Kashida S., Watanabe N., Hasegawa T., Iida H., Mori M., Savrasov S. Electronic structure of Ag2S, band calculation and photoelectron spectroscopy // Solid State Ionics. – 2003. – V. 158, № 1-2. – P. 167–175.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).