DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2016.39.23-27

Вплив зовнішнього електричного поля на аномалію діелектричних властивостей кристалів CuInP2S6 та Ag0,05Cu0,95P2S6 в околі температури фазового переходу

О. В. Шуста, О. Г. Сливка, В. М. Кедюлич, В. С. Шуста

Анотація


Наведено результати досліджень температурних залежностей діелектричної проникності шаруватих кристалів CuInP2S6  та  Ag0,05Cu0,95P2S6 при дії зовнішнього електричного поля. Встановлено, що електричне поле приводить до зміни роду фазового переходу і реалізації критичної точки на Е,Тm -діаграмі  досліджуваних кристалів.

Ключові слова


сегнетиелектрики; фазові переходи; електричне поле; діелектричні властивості; критичне поле

Повний текст:

PDF

Посилання


Maisonneuve, V., Cajipe, V.B., Simon, A., VonderMuhl, R. аnd Ravez, J.(1997), “Ferrielectric ordering in lamellar CuInP2S6”, Phys.Rev., vol.B 56, pp. 10860-10867.

Maisonneuve, V., Evain, M., Payen, C., Cajipe, V.B. and Molinie, P.(1995) “Room temperature crystal structure of the layered phase CuInP2S6”, J. Alloys and Compounds., vol.218, pp. 1574-1580.

Dziaugys, А., Banys, J., Macutkevic, J., Sobiestianskas, R., and Vysochanskii Y. (2010), “Dipolar glass phase in ferrielectrics: CuInP2S6 and Ag0.1Cu0.9InP2S6 crystals., Phys. Status Solidi ., a 207, no.8, pp.1960–1967

М.М. Медулич, М.М. Майор, А.А. Когу-тич, С.Ф. Мотря Особливості діелектричної поведінки при фазовому переході в шаруватих сегнетоелектрикаx CuInP2S(Se)6 // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика.-2014.- № 36. – C.62-68.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).