DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2016.40.30-40

Електронна структура Ag2S і Ag2GeS3

Д. И. Блецкан, В. В. Вакульчак, А. В. Лукач, И. П. Студеняк

Анотація


У локальному наближенні теорії функціонала густини виконано розрахунки зонної структури, повної і парціальних густин станів, розподілу електронної густини в Ag2S і Ag2GeS3. За результатами розрахунку проведено детальний аналіз природи валентних станів. Показано, що обидва кристали є прямозонними напівпровідниками з розрахованою шириною забороненої зони Egd = 0.91 еВ для Ag2S і Egd = 1.96 еВ для Ag2GeS3. Хімічний зв'язок в цих сполуках має іонну і ковалентну складові.


Ключові слова


Електронна зонна структура; Густина станів; Сульфід срібла; Тіогерманат срібла; Розподіл валентного заряду

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Кохан О.П. Взаємодія в системах Ag2X–BIVX2(BIV – Si, Ge, Sn; X = S, Se) і властивості сполук. Автореф. дис. … канд. хім. наук. Ужгород, 1996. – C. 21.

Олексеюк И. Д., Когут Ю.М., Федор-чук А.О., [та ін.] Система Ag2S–GeS2 та кристалічна структура Ag2GeS3 // Наук. вісник Волинського нац. ун-ту ім. Лесі Українки. – 2010. – Т. 16. – С. 25–33.

Robinel E., Carette B., Ribes M. Silver sulfide based glasses (I). Glass forming regions, structure and ionic conduction of glasses in GeS2–Ag2S and GeS2–Ag2S–AgI systems // J. Non-Cryst. Solids. – 1983. – V. 57, № 1. – P. 49–58.

Блецкан Д.И. Фононные спектры и электронные явления в упорядоченных и неупорядоченных халькогенидах германия : дис. … док. физ.-мат. наук / Ужгород. гос. ун-т. – Ужгород, 1984. – C. 450.

Nagels P., Tichý L., Tříska A., Tichá H. Physical properties of (GeS2)x(Bi2S3)1−x glasses // J. Non-Cryst. Solids. – 1985. – V. 77–78, Part 2. – P. 1265–1268.

Morales Masis M. Resistive switching in mixed conductors: Ag2S as a model system: Doctoral Thesis / Leiden University. – Leiden, 2012. – P. 124.

Owens A.P., Pradel A., Ribes M., Elliott S.R. A quasi-elastic neutron scattering study of Ag+ ion motion in the superionic glassy system Ag2S–GeS2 // J. Non-Cryst. Solids. – 1991. – V. 131–133, Part 2. – P. 1104–1108.

Yoshida N., Itoh M., Tanaka K. Photo- and electron-induced chemical modifications in Ag–As(Ge)–S(Se) glasses //

J. Non-Cryst. Solids. – 1996. – V. 198–200, № 2. – P. 749–752.

Kawaguchi T., Maruno S., Elliott S.R. Optical, electrical, and structural properties of amorphous Ag–Ge–S and Ag–Ge–Se films and comparison of photoinduced and thermally induced phenomena of both systems // J. Appl. Phys. – 1996. – V. 79, № 12. – P. 9096–9104.

Reshak A.H., Auluck S., Piasecki M., [et al.] Absorption and photoconductivity spectra of Ag2GeS3 crystal: Experiment and theory // Spectrochim. Acta A.: Mol. Biomol. Spectrosc. – 2012. – V. 93. – P. 274–279.

Hasegawa A. On the electronic structure of Ag chalcogenides // Solid State Ionics. – 1985. – V. 15, № 1. – P. 81–88.

Kashida S., Watanabe N., Hasegawa T., [et al.] Electronic structure of Ag2S, band calculation and photoelectron spectroscopy // Solid State Ionics. – 2003. – V.158, № 1–2. -P.167–175.

Gordienko A.B., Zhuravlev Yu.N., Fedorov D.G. Band structure and chemical bonding in silver sulfide // Russian Physics Journal. – 2006. – V. 49, № 8. – C. 892–894.

Alekberov O., Jahangirli Z., Paucar R., [et al.] Band structure and vacancy formation in β-Ag2S: Ab-initio study // Phys. Status Solidi C. – 2015. – V. 12, № 6. – P. 672–675.

Sadanaga R., Sueno S. X-ray study on the α-β- transition of Ag2S // Mineral. J. Jpn. – 1967. – V. 5, № 2. – P. 124–143.

Nagel A., Range K.-J. Verbindungsbil-dung im System Ag2S-GeS2-AgI (Com-pound Formation in the System Ag2S-GeS2-AgI) // Z. Naturforsch. B. – 1978. – V. 33, № 12. – P. 1461–1464.

Оруджев Г.С., Абдулзаде Н.Н., Мурсакулов Н.Н. Оптические свойства и энергетические спектры Ag2S // III Республиканская конференция «Фундаментальные проблемы физики», Азербайджан, Баку, 2009, C. 189–190.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).