DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2010.28.44-46

Вплив одновісного тиску на діелектричні властивості кристалів CuInP2S6

О. В. Шуста, О. Г. Сливка, В. М. Кедюлич, П. П. Гуранич, В. С. Шуста, О. І. Герзанич, І. П. Пріц

Анотація


В даній роботі досліджено вплив одновісного тиску (σ<600 бар) на температурні залежності діелектричних властивостей кристалів CuInP2S6 з метою встановлення їх фазової σ,T-діаграми.


Ключові слова


Сегнетиелектрики; Одновісний тиск; Гідростатичний тиск; Діелектрична проникність; Фазові переходи

Повний текст:

PDF

Посилання


Paraelectric - ferroelectric transitions in the lamellar thiophosphate CuInP2S6 /A. Simon., J. Ravez, V. Maisonneive, C. Payen, V. Cajipe // Chem.Mater. -1994. - 6. – P. 1575 -1580.

Ferrielectric ordering in lamellar CuInP2S6 / V. Maisonneuve, V. Cajipe, A. Simon, V. Muhll, J.Ravez // Phys. Rev. B. - 1997. - 56. – P. 10860-10867.

Dielectric properties of CuInP2S6 crystals under high pressure / Shusta V.S., Prits I.P., Guranich P.P., Gerzanich E.I, Slivka A.G. // Condensed mater physics. - v.10, №1(49) - P. 91-94.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).