DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2010.28.47-51

Діелектричні властивості полікристалів TlIn(S0.96Se0.04)2 при високих гідростатичних тисках

Р. Р. Росул, О. О. Гомоннай, П. П. Гуранич, О. Г. Сливка, В. М. Рубіш, М. Ю. Риган

Анотація


Досліджено температурні залежності діелектричних властивостей полікристалів TlIn(S0.96Se0.04)2 в околі фазових переходів при високих гідростатичних тисках. Збільшення гідростатичного тиску призводить до зсуву аномалій діелектричної проникності та тангенсу кута діелектричних втрат в область вищих температур та появи при тисках р>0.55ГПа складної полікритичної області. Побудована фазова p,T-діаграма.


Ключові слова


Сегнетоелектрики; гідростатичний тиск; діелектрична проникність; Фазові переходи; Полікритичні явища

Повний текст:

PDF

Посилання


Panich A.M. Electronic properties and phase transition in low-dimensional semiconductors // J. Phys. Condens. Matter. – 2008. – №20. – Р. 93202-1–293202-42.

Kashida S. and Kobayashi Y. X-ray study of the incommensurate phase of TlInS2, J. Phys. Condens. Matter. – 1999. – №11. – Р.1027–1035.

Influence of hydrostatic pressure on phase transitions, dielectric properties and conductivity of β-TlInS2 /K.R. Allakhverdiev, A.I. Baranov, T.G. Mamedov, V.A. Sandler, and Y.N. Sharifov // Fiz. Tverd. Tela. –1988. – №30. – Р. 1751–1756.

Еffect of hydrostatic pressure on phase transitions in ferroelectric TlInS2 / O.O. Gomonnai, P.P. Guranich, M.Y. Rigan, I.Y. Roman, A.G. Slivka // High Pressure Research. – 2008. – V. 28, № 4. – P. 615-619.

Seyidov M.-H.Yu., Suleymanov R.A., Salehli F. Влияние „отрицательного химического“ давления на температуры фазовых переходов в слоистом кристалле TlInS2 // ФТТ. – 2009. – Т.51. – №12. – С.2365 – 2370.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).