DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2003.13.28-31

Парціальні характеристики автоіонізаційних станів, які збігаються до третього порогу атома гелію

Т. М. Заяць, А. І. Опачко

Анотація


Розраховано парціальні положення та ширини найнижчих 10-ти синглетних 1S, 1P, 1D, 1F автоіонізаційних станів, які збігаються до порогу N=3 атома гелію. Проведено аналіз парціальних ширин, що дозволило виявити автоіонізаційні стани, які розпадаються в один або два канали. Таким чином виявлено квазістаціонарні стани, для яких сильний зв'язок каналів слід враховувати з одним або двома відкритими каналами.


Ключові слова


Автоіонізація; Гелій; Парціальні ширини; Квазістаціонарні стани

Повний текст:

PDF

Посилання


Бурков С.М., Заяц Т.М., Страхова С.И. // Оптика и спектроскопия. - 1988. - 63. вып.3. - с. 523-528.

Burkov S.M., Letyaev N.A., Strakhova S.I., Zajac T.M. // J. Phys. B: Atom. and Mol. Phys. - 1988. - 21. - P. 1995-1208.

Burkov S.M., Strakhova S.I., Zajac T.M. // J. Phys. B: Atom. and Mol. Phys. - 1990. – 21, - P. 3677-3689.

Балашов B.B., Липовецкий C.C., Сенашенко B.C. // ЖЭТФ. - 1972. - 63. C. 1622-1627.

Балашов В.В., Липовецкий С.С., Павличенков A.B., Полюдов А.Н., Сенашенко B.C. // Опт. и спектр., 1972. - Т.32. - С. 10-16.

Balashov V.V., Lipovelsky S.S., Senashenko V.S. // Phys. Lett. - 1972. - v. 40A. - p.389-39


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).