DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2010.27.21-28

Фазові переходи в кристалах CuInP2(SexS1-x)6 в області при всебічному стисненні та p,T,x - діаграма

В. Ю. Біганич, І. Ю. Куриця, В. С. Шуста, О. І. Герзанич

Анотація


Досліджено вплив температури та гідростатичного тиску на аномалію діелектричної проникності при фазовому переході в кристалах CuInP2S6, CuInP2(Se0.02S0.98)6, CuInP2(Se0.1S0.9)6 та CuInP2(Se0.3S0.7)6. Показано, що відношення постійних Кюрі-Вейса в пара - і сегнетифазі  при атмосферному тиску рівне за величиною 15 та 7, відповідно для CuInP2S6 та CuInP2(Se0.02S0.98)6, що є свідченням фазового переходу першого роду. Для кристалів CuInP2(Se0.1S0.9)6 та CuInP2(Se0.3S0.7)6 це відношення знаходиться в межах 2-4, що є характерним для фазових переходів поблизу критичної точки. Для досліджених кристалів під впливом тиску величина Сwзменшується, а температура Кюрі - зростає. Останнє для кристалів CuInP2S6 пояснюється на основі формули Клаузіуса-Клапейрона зменшенням при фазовому переході об’єму елементарної комірки кристалевої гратки та ентропії при пониженні температури.

 


Ключові слова


Високий тиск; Фазові переходи; Температура Кюрі; Сегнетиелектрик

Повний текст:

PDF

Посилання


Maisonneuve V., Evain M., Payen C., Cajipe V.B., Molinie P. Room-temperature crystal structure of the layered CuIInIIIP2S6 // J.Alloys and Compounds. - 1995. - Vol. 218. - P. 157-164.

Maisonneuve V., Cajipe V.B., Simon A., Von Der Muhll R., Ravez J. Ferielectric ordering in lamellar CuInP2S6 // Phys. Rev. -1997. – Vol. 56. - №9. - P. 10860-10868.

Балог Й.С, Мотря С.Ф, Пріц І.П, Рущак М.М, Корда H.Ф, Кривський В.О. Синтез, вирощування та визначення основного складу кристалів-сегнетиелектриків системи CuInP2S6 - CuInP2Se6 // Науковий вісник УжНУ. Сер. Хімія. - 2005. - № 14. - С. 112-116.

Vysochanskij Yu.M., Molnar A.A., Gurzan M.I. and Cajipe V.B. Phase transitions in CuInP2(SexS1-x)6 layered crystals // Ferroelectrics. - 2001. - Vol. 257. - P. 147-154.

Bourdon X., Maisonneuve V. Cajipe V.B., Payen C., Fisher J.E. Copper sublattice ordering in layered CuMP2Se6(M=In,Cr) // J.Alloys Compounds. - 1999. - Vol. 283. - P. 122-127.

Герзанич О.І. Сегнетоелектрики групи під впливом високого тиску. - Львів: Видавець Сорока Т.Б., 2008. – 124 с.

Майор М.М, Врабель В.Т, Приц И.П, Корда H.Ф., Гурзан М.И, Высочанский Ю.М. Диелектрические свойства твердых растворов CuInP2(SeхS1-х)6 // Физика твердого тела. - 2005. - том 47. - №9. - С 1670 – 1675.

Shusta V.S., Prits I.P., Guranich P.P., Gerzanich E.I., Slivka A.G. Dielectric properties of CuInP2S6 crystals under high pressure // Condens. Matter. Phys. - 2007. - Vol. 10. - №1(49). - Р. 91-94.

Simon A, Ravez J., Maisonneuve V., Payen C., Cajipe V.B. Paraelectric – ferrielectric trantition in the lamellar thiophosphate CuInP2S6 // Chem. Mater.-1994. - Vol. 6. - № 9. - P. 1575-1580.

Блинц Р., Жекш Б. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Динамика решетки: Перев. с англ. / Под ред. Л.А. Шувалова. - Москва: Мир, 1975. – 398 с.

Sorge G., Schmidt G., Hegenbarth E., Frenzel Ch. Pressure dependence of the elastic compliance S11 near the transition temperature of SrTi O3 // Phys. Stat. Sol. - 1970. - Vol. 37. - № 1. - P. K17-K18.

Лайнс М., Гласс А. Сегнетоелектрики и родственные им материалы: Перев. с англ. / Под ред. В.В. Леманова и Г.А. Смоленского.- Москва: Мир, 1981. – 736 с.

Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. - Москва: Наука, 1983. – 240 с.

Смоленский Г.А., Крайник Н.Н. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. - Москва: Наука, 1968. – 184 с.

Guranich P.P., Shusta V.S., Gerzanich E.I., Slivka A.G., Kuritca I. and Gomonnaj O. Influence of hydrostatic pressure on the dielectric properties of CuInP2S6 and CuInP2Se6 layered crystals // Journal of Physics: Conference Series. - 2007. - Vol. 79. № 1. - P. 1-4.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).