DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2012.31.55-62

Моделювання електронної структури складних халькогенідів типу M2P2Se6 (M = Sn, Mn)

В. Ю. Клевець, М. Д. Савченко, Т. М. Щурова, О. Г. Сливка

Анотація


У межах підходу, поєднуючого метод лінійної комбінації атомних орбіталей та метод псевдопотенціалу, виконано розрахунок енергетичних зон сполук Sn2P2Se6 та Mn2P2Se6. Енергетичні положення верхньої межі валентної зони визначені з урахуванням спін-орбітальної взаємодії, внутрішньоатомного кулонівського відштовхування, полярності хімічного зв'язку та впливу pd зв'язку. Використано наближення, яке припускає, що електронні стани бінарних комплексів визначають енергетичне положення електронних станів у валентній зоні та в зоні провідності відповідних потрійних сполук. Визначені ширина забороненої зони, поріг фотоемісії, енергетичні положення максимумів густини станів у зоні провідності та у валентній зоні відносно її верхньої межі.


Ключові слова


Електронна структура; Теорія сильного зв'язку; Ширина забороненої зони; Поріг фотоемісії, Sn2P2Se6, Mn2P2Se6

Повний текст:

PDF

Посилання


Harrison W.A., Elementary Electronic Structure. New Jersey, London, Singapore: World Scientific Publishing Co. (2004). – 838 p.

Harrison W.A. Theoretical Alchemy. Modelling Matter. – New Jersey, London, Singapore: World Scientific Publishing Co., 2010. – 196 p.

Savchenko N.D., Kondrat A.B., Shchurova T.N., Dovgoshey N.I. Bands splitting in heterojunctions chalcogenide film – crystalline semiconductor // Proc. Ukr. Vac. Soc 8th Int. Symp. Thin Films in Electronics / eds. V.G. Cherepin, V.M. Shulayev. – Kharkiv, 1997. – P. 262–265.

Shchurova T., Savchenko N., Spesivykh A., Baran N. Spectral Distribution of Photoemission Quantum Efficiency for Geх (As2Se3)1-х Glasses // Jap. J. Appl. Phys. – 2000. – Vol. 39(Suppl. 39-1). P. 334 335.

Savchenko N.D., Shchurova T.N., Popovych K.O. Rubish I.D., Leising G. Simulation of electronic states in the band gap of ZnS: Cu, Cl crystallophosphors // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2004 – Vol. 7 (2). – P. 133–137.

Shchurova T. Savchenko N., Rubish V.M., Rubish V.V., Spesivykh A., Opachko I. Electrical and optical properties of SbхS1-х alloys // J. Optoelectron. and Adv. Mater. – 2005. – Vol. 7(4). – P. 2021–2027.

Savchenko N.D., Shchurova T.N. Kondrat A.B., Opachko I.I. Auger analysis and simulation of electronic states for Ge33As12Se55 p-Si heterojunction // Surface and Interface Analysis. – 2006. – Vol. 38. – P. 448–451.

Shchurova T., Savchenko N., Kondrat A. et al. Simulation of the surface bending of energy band for binary chalcogenide semiconductors // Photoelectronics. – 2008. – Vol. 17. – P. 104–107.

Zhang S.B., Wei S.H., Zunger A. d-band excitations in II-VI semiconductors: a broken symmetry approach to the core hole // Phys. Rev. B. – 1995. – Vol. 52. – P. 13975-13982.

Lefebvre I., Szymanski M.A., Olivier-Fourcade J., Jumas J.C. Electronic structure of tin monochalcogenides from SnO to SnTe // Phys. Rev. B. – 1998. – Vol. 58 (4). – P. 1896–1906.

Kemeny P.C., Azoulay J., Cardona M., Ley L. Photoelectron spectra of GeS, GeSe, SnS and SnSe and their relation to structural trends and phase transitions with¬in the average-valence <5> compounds // Nuovo Cimento. B. – 1977. – Vol. 39 (2). – P. 709–714.

Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. – Л.: Изд-во Ленингр. ун-та, 1983. – 344 с.

Берча Д.М., Грабар А.А., Хархалис Л.Ю., Митин О.Б., Берча А.И. Зонный спектр и модель праструктуры кристалла Sn2P2Se6 // ФТТ. – 1997. – Т. 39 (7). – P. 1219–1222.

Caracas R.; Gonze X. First-principles study of Sn2P2Se6 ferroelectrics // Phys. Rev. B. – 2002. – Vol. 66(10). – P. 104106.

Glukhov K., Fedyo K., Vysochanskii Yu. Electronic structure and phase transition in ferroelectic Sn2P2S6 crystal // Cond. Matt. Matrl. Sci. – 2012. – Vol. 1108(2). – P. 2390–2404.

Сливка А.Г., Герзанич Е.И., Шуста B.C. Гуранич П.П. Влияние изоморфного замещения и внешнего давления на фундаментальное поглощение света кристаллами Sn(Pb) 2P2S(Se) 6 // Изв. вузов СССР. Серия: Физика. – 1999. –№9. – С. 23–28.

Grasso V., Silipigni L. Optical absorption and reflectivity study of the layered MnPSe3 seleniophosphate // JOSA B. –1999. – Vol. 16 (1). – P. 132–136.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).