DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2012.31.7-18

Власні та домішкові точкові дефекти й електронно-енергетичні характеристики ромбічного моносульфіду олова

М. М. Блецкан, К. Є. Глухов, О. О. Грабар

Анотація


З використанням методу функціонала електронної густини (DFT) у моделі суперкомірок вивчені енергетичні та електронні стани моносульфіду олова з власними і домішковими точковими дефектами: вакансіями в підґратці олова й домішковими атомами Sb і Bi, які заміщають атом олова («заліковуючи» катіонні вакансії).

Ключові слова


Моносульфід олова; Точкові дефекти; Вакансії; Домішки; Електронна структура; Густина станів

Повний текст:

PDF

Посилання


Блецкан Д.И. Кристаллические и стеклообразные халькогениды Si, Ge, Sn и сплавы на их основе. – Ужгород. ВАТ «Видавництво «Закарпаття»». – 2004. – Т. І. – 292 с.

Reddy K.T.R., Reddy N.K., Miles R.W. Photovoltaic properties of SnS based solar cells // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. – 2006. – V.90, № 18–19. – Р.3041–3046.

Antunez P.D., Buckly J.J., Brutchey R.L. Tin and germanium monochalcogenide IV-VI semiconductor nanocrystals for use in solar cells // Nanoscale. – 2011. – V.3, №.6 – Р. 2399– 2411.

Clemen C., Saldana X.I., Munz P., Bucher E. Photovoltaic properties of some semiconducting layer structures // Phys. Stat. Sol. (a). – 1978. – V.49, №2. – Р. 437–443.

Trbojevic D., Nikolic P. M., Perovic B., Cvekic V. Photovoltaic detectors in SnS produced by Sb+ ion implantation // Appl. Phys. Lett. – 1981. – V. 38, № 5. – P. 362–365.

Блецкан Д.И., Кабаций В.Н., Мадяр Й.Й., Сакал Т.А. Гетеропереходы на основе слоистых полупроводников SnS2 и GeS(Se) – Тезисы докладов четвертой Международной научно-практической конференции “Современные информационные и электронные технологии” – Одесса (Украина). – 2003. – С. 276.

Lichalot A., Gromb S. Propriétés electronigues du sulfure d′etain fritte // J.Chim. phys. et. phys. Chim. boil. – 1970. – V.67, №6. – Р.1230–1251.

Курбанова Р.Д., Мовсумзаде А.А., Аллазов М.Р. Система SnS−Sb // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1987. – Т. 23. – № 11. – С. 1796–1798.

Umeda J. Electrical properties of Sb−doned n-type SnSe // J. Phys. Soc. Japan. – 1961. –V. 16. – № 1. – P. 124.

Блецкан М.М. Влияние примеси сурьмы на фотоэлектрические свойства кристаллов SnS // Збірник тез конференції молодих вчених «Лашкарьовські читання». – 2011. – с.77– 79.

Джахангирли З.А. Самосогласованный расчет электронных структур глубоких уровней Sn- и S-вакансий в SnS методом функций Грина. – Ж. Физ. Химии. – 2010. – Т.84, №9. – С.1687–1690.

http://www.pcpm.ucl.ac.be/ABINIT

Gonze X., Beuken J.-M., Caracas R., Detraux F., Fuchs M., Rignanese G.-M., Sindic L., Verstraete G., Zerah G., Jollet F., Torrent M., Roy A., Mikami M., Ghosez Ph., Raty J.-Y., Allan D.C. First-principle computation of material properties: the ABINIT software project // Comp. Mat. Sci. B. – 2002. – V. 25, № 3. – P. 478– 492. 14. Soler J.M., Artacho E., Gale J.D., García A., Junquera J., Ordejón P., Sánchez-Portal D. The SIESTA method for ab initio order-N materials simulation // J. Phys.: Condens. Matter. – 2002. – V.

№11. – P. 2745–2779.

http://www.icmab.es/siesta-joomla/

Hartwigsen C., Goedecker S., Hutter J. Relativistic separable dual-space Gaussian pseudopotentials from H to Rn // Phys. Rev. B. – 1998. – V. 58, №7. – P. 3641–3662


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).