DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.1998.3.142-145

Вплив іонізуючих випромінювань на зміну показника заломлення халькогенідних склів

І. І. Шпак, І. В. Соколюк, Д. Г. Семак

Анотація


Обговорюється вплив радіаційно-ініційованних змін оптичних
властивостей халькогенідних стекол типу S(Se),As2S3(Se3),GeS2 (Se2, Te2). Проведена оцінка дозових коефіцієнтів показника заломлення та лінійного розширення з врахуванням як діелектричних, так і механічних характеристичних даних матеріалів. Вклад наведеного поглинання, зумовленого утворенням радіаційних дефектів, враховується на основі
співвідношення Крамерса-Кронінга, а зміна краю власного поглинання – в лінійному наближенні теорії деформаційного потенціалу.


Ключові слова


Показник заломлення; Поглинання; Дефект; Поляризація

Повний текст:

PDF

Посилання


E.Radelein et al., Ed.by Pye L.D. e.a. London: Taylor & Francis, 261-285(1992).

А.М.Косевич, Физическая механика реальных кристаллов, Наукова

думка,.Киев, (1981) 467с.

А.Фельц, Аморфные и стеклообразные неорганические твердые

тела,Мир,Москва,. (1986) 558с.

Л.Б.Глебов и др., Физ. и хим.стекла, 12.3, 345-351 (1986).

И.А.Соколов и др., Физ.и хим. стекла, 12.4, 406-411(1986).

K.Arai et al., J.Non-Crystal.Solids, 13,1-2,131-139(1973).

Y.Ito , S.Kashida, Solid State Commun.,65,6, 449-452 (1988).

D.Linke , Dissertation.B. Friedrich-Shiller-Univ.,Jene(1978).

Landold - Bernstein. Eigenschaften der Materie in ihren Aggregatrustäunden. Springer-Verlag,(1960).

P.G.Le Comber, I.Mort , Elektronic and Structural Properties of Amorphous Semiconductors. Academic Press, London,(1973).


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).