DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2013.34.22-27

Низькотемпературна діелектрична релаксація в кристалах типу Sn2P2S6

М. М. Медулич, М. М. Майор, А. А. Когутич, С. Ф. Мотря

Анотація


Досліджено природу діелектричної аномалії в кристалі Sn2P2S6,що має місце в температурному інтервалі 150-250 К. Встановлено, що діелектрична аномалія має релаксаційний характер і обумовлена переважно нелінійною складовою в діелектричному відгуку доменних стінок. Із аналізу поведінки комплексу фізичних властивостей кристала Sn2P2S6 в даній температурній області робиться припущення, що аномальна поведінка релаксаційного відгуку доменної структури є наслідком різкого зростання ангармонізму кристалічної гратки.


Ключові слова


Діелектрична проникність; Сегнетоелектрики; Діелектрична аномалія; Нематична фаза; Ангармонізм; Поляризація

Повний текст:

PDF

Посилання


Huang Y.N., Wang X. Li, Y.N., Shen H.M., Zhang Z.F., Fang C.S., Zhuo S.H., Fung P.C.W. Domain freezing in potassium dihydrogen phosphate, triglycine sulphate, and CuAlZnNi // Phys.Rev.B. – 1997. – 55. – P. 16159-16166.

Hegenbarth E. Proceeding 6-th International symposium “High-Purity materials in Science and Technology” // Dresden. – 1985. – P. 94.

Гурзан М.И., Корда Н.Ф., Высочанский Ю.М., Майор М.М. Получение и некоторые свойства кристаллов Sn2P2S6 и Sn2P2Se6 // Всесоюзная конференция по материаловедению халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников. – Черновцы. – 1986. – Т.1. – С. 199.

Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю. Сегнетоелектрики семейства Sn2P2S6 в окрестности точки Лифшица. – Львов. – 1994. – 264 c.

Eijt S. Structure and dynamics of type 2 incommensurate crystals. A study of the Sn2P2Se6 group // PhD dissertation. Nijmegen. – 1997. – 170 p.

Moriya K., Kumiyoshi H., Tashita K., Ozaki Y., Jano Sh. and Matsuo T. Ferroelectric phase transition in Sn2P2S6 and Sn2P2Se6 crystals // J.Phys.Soc.Japan. – 1998. – V.67. – P. 3505-3511.

Майор М.М., Коперльос Б.М., Савченко Б.А., Гурзан М.И.,

Морозова О.В., Корда Н.Ф. Теплоемкость и линейное расширение кристаллов Sn2P2(SеxS1-x) 6 в области фазовых переходов // ФТТ. – 1983. – Т.25. – С. 214-223.

Rushchanskii K.Z., Vysochanskii Yu.M., Strauch D. Ferroelectricity, nonlinear dynamics and relaxation effects in monoclinic Sn2P2S6 // Phys. Rev. Lett. – 2007. – V.99. – P. 207601-1 -207601-4.

Fu J. On the Landau theory of phase transition: a hierarchical dynamic model // J. Phys: Condens. Matter. – 2013. – 25. – P. 075903-075909.

Loosderecht van P.H.M., Maior M.M., Molnar S.B., Vysochanskii Yu.M., Bentum van P.J.M., Kempen van H. Raman study of the ferroelectric semiconductor Sn2P2Se6 // Phys. Rev.B. – 1993. – V.48, N9. – P. 1070-1077.

Kiselev D.A., Rushchanskii K.Z., Bdikin I.K., Malinkovoch M.D., Parkhomenko Y.N. and Vysochanskii Yu.M. Theoretical Prediction and Direct Observation of Metastable Non-Polar Regions in Domain Structure of Sn2P2S6 Ferroelectrics with Triple-Well Potential // Ferroelectrics. – 2012. – 438. – P. 55-67.

Різак В.М., Різак І.М., Семак Д.Г. Функціональні халькогенідні напівпровідники / Різак В.М., Різак І.М., Семак Д.Г. – Ужгород: Закарпаття, 2001. - 210 с.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).