DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.1998.3.133-134

Вплив гідростатичного тиску на діелектричні властивості та фазові переходи в сегнетоелектриках (Sn1-xIn2/3x)2P2S6

П. П. Гуранич, П. М. Лукач, В. В. Товт, О. І. Герзанич, В. С. Шуста

Анотація


Досліджено вплив зовнішнього гідростатичного тиску на температурну залежність діелектричної проникності сегнетоелектричних кристалів (Sn1-xIn2/3x)2P2S6, побудовані р,Т- діаграми. Збільшення тиску призводить до розщеплення сегнетоелектричного ФП з утворенням неспівмірної надструктури. Координати точки розщеплення із збільшенням вмісту In зсуваються в область високих тисків і низьких температур.


Ключові слова


Тиск; Сегнетоелектрики; Розщеплення

Повний текст:

PDF

Посилання


Ю.М.Высочанский и др.,ФТТ, 27, 3, 858 (1985 ).

Slivka A.G., el al., Ferroeleclrics, 103, 71 (1990).

Shusta V.S., et al., Ferroelectrics, 143, 61(1993 ).

Сливка О.Г., та ін., УФЖ, 42, 2, 211 (1997).


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).