DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.1999.4.43-49

КРАЙ ОПТИЧНОГО ПОГЛИНАННЯ НЕКРИСТАЛІЧНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ AsxSe1-x ПРИ х = 0-0.15

В. В. Мікла, В. Ю. Сливка, І. П. Михалько, Ю. Ю. Надь

Анотація


Приводяться результати експериментального дослідження оптичного поглинання некристалічних напівпровідників на основі селену. При аналізі поведінки оптичного поглинання основну увагу зосереджено на спектральній області за краєм Урбаха. Встановлено, що для аморфних AsxSe1-x справджується закон Тауца. Виявлена немонотонність зміни характерних параметрів зі складом. Результати інтерпретуються з позицій моделей, що враховують структурне розупорядкування.


Повний текст:

PDF

Посилання


Мотт, Э.Дэвис ,Электронные процессы в некристалических веществах, М., Мир (1982).

Аморфные полупроводники и приборы на их основе/ под. ред. Й. Хамака-вы, М., Металлургия (1986).

А.Меден, М.Шо, Физика и применение аморфных полупроводников, М., Мир (1991).

А.Фельц, Аморфные и стеклообразные неорганические твёрдые тела, М., Мир (1986).

S.O.Kasap, Photoreceptors: The selenium alloys// Handbook on imaging materials/ Ed. A. Diamond/ New York, Marcel Dekker (1991) p. 329-376.

J.Rowlands, S.Kasap, Amorphous semiconductors ushers in digital x-ray imaging, Physics Today, 11, p. 24-30 (1997).

G.A.Connell, Optical properties of amor-pous semiconductors, in: Amorphous semiconductors (Ed. by M. Brodsky), Springer, Berlin (1980) p. 73-111.

J.Tauc, Amorphous and liquid semiconductors (Ed. by J.Tauc), Plenum, London (1974) p. 159-181.

З.У.Борисова, Химия стеклообразных полупроводников, Л., ЛГУ (1972).

J.Tauc, Mater. Res. Bull. , 5, p. 721-731 (1970).

J.Tauc, Absorption adge in amorphous semiconductors, in: Proc. 5th Intern. Conf. Amorph. and liquid semicond. (eds.

Stuke J. and Brenig H.), London, Taylor & Francis (1974).

C.H.Hurst, E.H.Davis, J. Non-Cryst. Solids, 16, p. 343-354(1974).

K.Hulis, F.M.McMillan, J. Non-Cryst. Solids, 15, p. 357-385

M.B.Mayers, E.J. Felty, Mater. Res. Bull., 2,. p.535-540 (1967).

S.Abe, Y.Toyozawa, in: Amorphous Semiconductors (Ed. Y. Hamakawa) (1983), Tokyo: Ohm.

J.lhm , J. Phys. C.: Sol. State Phys., 18, p. 4741-4751(1985).

E.Gcrlach, P.Grosse, The physics of selenium and tellurium, New York: Springer, (1979).

A.J.Leadbetter, A.J.Appling, J. Non-Crys. Solids, 72, p. 250-268 (1985).

Selenium / Ed. R.A.Zingaro, W.C. Cooper,. New York: Van Nostrand, (1974).

T.Wagner, S.O.Kasap, Phil. Mag., B74,. p. 667-680(1996).

T.Wagner, S.O. Kasap, J. Mater. Res., 12, p.1892-1899 (1997).

V.I.Mikla, A.V.Mateleshko, V.V.Mikla, Yu.Yu.Nagy, J. Non-Cryst. Solids, 246, p.46-53 (1999).

V.I.Mikla, Yu.Yu.Nagy, V.V.Mikla, A.V.Mateleshko, Вісник Ужгородського університету, серія-Фізика, 2, с.49-53(1998).

V.I.Mikla, Yu.Yu.Nagy, V.V.Mikla, A.V.Mateleshko, Materials Science & Engineering, В 56, p.1-5 (1998).


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).