DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2013.34.72-79

Oптичні властивості плівок Ge–S(Se)–In

Г. Т. Горват, М. М. Поп, В. Р. Романюк, В. М. Різак

Анотація


Ця стаття присвячена дослідженню оптичних властивостей плівок Ge–S(Se)–In, які були осаджені зі швидкістю 5 нм/ с з використанням термічного випаровування на скляні підкладки з раніше синтезованого матеріалу. Виміряні спектральні, поляризаційні і кутові характеристики тонких плівок в діапазоні довжин хвиль λ=400-1000 нм. Розраховані оптичні параметри плівок різних складів (Ge40S(Se)60)100-xInx.

Ключові слова


Халькогенідні стекла; Тонкі плівки; Оптичні параметри; Ge–S–In; Ge–Se–In

Повний текст:

PDF

Посилання


Iga K., Kokubun Y. Encyclopedic handbook of integrated optics. Technology & Engineering. – 2006. - 507 p.

Teteris J., Reinfelde M. Application of amorphous chalcogenide semiconductor thin films in optical recording technologies // Optoelec. & Adv. Mater., 2003. - 5(5), pp. 1355–1360.

Костюкевич С.А., Шепелявый П.Е., Свечников С.В., Москаленко Н.Л., Томчук В.М., Коптюх А.А., Волков А.В., Казанский Н.Л., Костюк Г.Ф. Формирование дифракционных оптических элементов с использованием неорганической лазерной литографии // Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2002. - 4(3). - C. 3–14.

Munzar M., Tichý L., Tichá H. Some optical properties of Ge–S amorphous thin films // Current Appl. Phys., – 2002. – 2. - P. 181–185.

Author(s): N.A. Bakr, M.S. Aziz and M. Hammam. Structural properties of GexSe100-x thin films prepared by semi-closed space technique // Egypt. J. Sol., 2000. - 23( 1). - P. 45-57.

Todorov R., Iliev Tz., Petkov K. Light-induced changes in the optical properties of thin films of Ge–S–Bi (Tl, In) chalcogenides // J. Non-Cryst. Solids. – 2003. - 326&327, P. 263-267.

Saffarini G., Saiter J.M., Schmitt H. The composition dependence of the optical band gap in Ge–Se–In thin films // Optical Materials. – 2007. – 29. - P. 1143 – 1147.

Kumar R., Kumar A., Rangra V.S. A Study of Physical Properties of Ge-Se-In Glassy Semiconductors // Optoelec. & Adv. Mater. – 2010. - 4(10). - P. 1554-1558.

Борец А.Н., Химинец В.В., Туряница И.Д. Сложные стеклообразные халькогениды (получение, свойства и применение). Львов: Вища школа, изд-во при Львовском ун-те, 1987. – 188 с.

Гоглидзе Т.И., Дементьев И.В., Иши¬мов В.М., Сенокосов Э.А. Зависи

мость основных физических свойств пленок стекол (As2S3)x (As2Se3)100-x от скорости их термического напыления // Неорган. материалы. – 2008. - 43(1), C. 97-101.

Dmitruk N.L., Borkovskaya O.Yu., Havrylenko T.S., Naumenko D.O., Petrik P., Meza-Laguna V., Basiuk (Golovataya-Dzhymbeeva) E.V. Effect of chemical modification of thin C60 fullerene films on the fundamental absorption edge // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Opto-electronics. - 2010. - 13(2). - Р. 180-185.

Swanepoel R. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon // J. Phys. E: Sci. Instrum. – 1983. – 16. - Р. 1214-1222.

Tauc J. States in the gap // J. Non-Cryst. Solids. – 1972. - 8-10. - Р. 569-585.

Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. - 658 с.

Todorov R., Iliev Tz., Petkov K. Light-induced changes in the optical properties of thin films of Ge–S–Bi (Tl, In) chalcogenides // J. Non-Cryst. Solids. – 2003. - 326&327, Р. 263-267.

Petkov K. Compositional dependence of the photoinduced phenomena in thin chalcogenide films // Optoelec. & Adv. Mater. – 2002. - 4(3), Р. 611 – 629.

Wemple S.H. and Didomenico Jr. M. Behavior of the Electronic Dielectric Constant in Covalent and Ionic Materials // Phys. Rev. B. – 1971. – 3. - Р. 1338-1351.

Tanaka K. Optical properties and photoinduced changes in amorphous As-S films // Thin Solid Films 66. - 1980. - Р 27100-27900.

Tubbs M.R. A spectroscopic interpretation of crystalline iсonicity // Phys. Stat. Sol. – 1970. - 41(1).-Р. K6100-K64.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).