DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2013.34.194-199

Імпедансний сенсор на ефекті екранування для детектування функціонального стану Клітинних моношарів

Н. Г. Крылова, Г. В. Грушевская, И. В. Липневич, Т. И. Ореховская, Г. Н. Семенкова, Н. В. Васильев

Анотація


Показано, що при культивуванні клітин на поверхні імпедансного сенсора спостерігається ефект екранування електричного поля, пов'язаний з формуванням міжклітинних контактів і появою активної складової імпедансу. Величина ефекту залежить від чутливості покриття і зростає із зменшенням відстані між електрода­ми сенсора

Ключові слова


Імпедансна спектроскопія; Зустрічно-штирьовий наноперетворювач; Клітинний моношар; Ефект екранування

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Henning T., Brischwein M., Baumann W. et al. Approach to a multiparametric sensor-chip-based tumor chemosensitivity assay // Anti-Cancer Drugs – 2001. – V. 12. –P. 21-32.

Ceriotti L., Ponti J., Colpo P. et al. Assessment of cytotoxicity by impedance spectroscopy // Biosens. Bioelectron. –2007. – V. 22. – P. 3057-3063.

Yeon J.H., Park J.-K. Cytotoxicity test based on electrochemical impedance measurement of HepG2 cultured in microfabricated cell chip // Anal. Biochem. – 2005. – V. 341. – P. 308-315.

Xiao C., Luong J. On-line monitoring of cell growth and cytotoxicity using electric cell-substrate impedance sensing (ECIS) // Biotechnol. Prog. – 2003. –V. 19. – P. 1000-1005.

Ehret R., Baumann W., Brischwein M. et al. Online control of cellular adhesion with impedance measurements using interdigitated electrode structures // Med. Biol. Eng. Comput. – 1998. –V. 36. – P. 365-370.

Kel’in A.V., Kulinkovich O.G. A new synthetic approach to the conjugated five numbered heterocycles with long-chain substituents // Folia pharm. Univ. Carol. – 1995. – V. 18. – P. 96-97.

Grushevskaya H.V., Hrushevsky V.V., Krylova N.G. et al. Cell functioning characterization using spontaneous polarization hysteresis in thin Langmuir-Blodgett films with modified multi-walled carbon nanotubes and rare-earth atoms // J. Nonlin. Phen. Com. Sys. – 2010. – V. 13. – P. 396-408.

Абрамов И.И., Грушевский В.В., Крылов Г.Г. и др. Метод расчета встречноштыревого датчика емкостного типа // Петербургский журнал электроники. – 2012. – Т. 4. – № 73. – С. 59-67.

Грушевский В.В., Крылов Г.Г., Крылова Г.В. и др. Электро-физические свойства приэлектродного слоя встречно-штыревого датчика на границе раздела фаз нанопористый АОА – полярная жидкость // Вестник БГУ. Серия 1: Физ. Мат. Информ. – 2012. – Т. 2. – С. 23-29.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).