DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2007.21.165-168

ДЕТЕКТОРИ ІОНІЗУЮЧИХ ВИПРОМІНЮВАНЬ “ФОТОЧУТЛИВА ГЕТЕРОСТРУКТУРА - ХАЛЬКОГЕНІДНИЙ СЦИНТИЛЯТОР” НА ОСНОВІ СПОЛУК AIIBVI

I. Zenya, A. Galat, P. Gashin, B. Grinyov, A. Focsha, V. Ryzhikov, V. Seminozenko, N. Starzhinskiy

Анотація


Розглянуто методи отримання фоточутливих структур типу nZnSe(Te)-pZnTe і ZnSe(Te)/pZnTe-nCdSe шляхом використання твердофазних реакцій заміщення і подальшого епітаксіального росту на кристалах ZnSe(Te). Показано, що амплітуда вихідного сигналу інтегральних детекторів дорівнює 1,2-1,4 В, а рентгенівська чутливість досягає величин 150-200 нА-хв/см2-Р. Динамічний діапазон вихідних параметрів досягає 105, а рівень післясвітіння через 20 мс не перевищує 0,05 %, що дозволяє використовувати їх у детектуючих системах рентгенівських інтроскопів.


Повний текст:

PDF (English)

Посилання


V.D.Ryzhikov, V.I.Silin, N.G.Starzhinskiy, Nucl.Tracks Radiat.Meas. 21, 53 (1993).

L.V.Atroshchenko, S.F.Burachas, L.P.Gal’chinetskii, B.V.Grinyov, V.D.Ryzhikov, N.G.Starzhinskiy, Scintillation crystals and radiation detectors based on them (Naukova Dumka, Kyiv,1998), pp.167-310.

V.D.Ryzhikov, V.V.Chernikov, L.P.Gal’chinetskii, J. Crystal Growth, 197, 655 (1999).

P.Gashin, A.Focsha, Solar En.Mater and Solar Cells, 46, 323 (1997).

P.P.Gorbik, M.A.Mazin, V.D.Ryzhikov, Elect.Techn., 1, 36 (1987).


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).