DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2013.33.50-57

ЗОННА ЕНЕРГЕТИЧНА СТРУКТУРА СЕГНЕТИЕЛЕКТРИКА – НАПІВПРОВІДНИКА CuInP2 S6 ТА НЕПРЯМІ ОПТИЧНІ ПЕРЕХОДИ В CuInP2(Se0.1 S0.9)6

К. Е. Глухов, В. Ю. Біганич, Е. І. Герзанич

Анотація


Розрахована зонна енергетична структура сегнетиелектрика – напів­провідника CuInP2S6 в обох фазах. Показано, що даний кристал є непрямозонним матеріалом. Експериментально при тиску р=0,1 ГПа досліджена форма краю оптичного поглинання кристалу CuInP2(Se0.1S0.9)6, який є ізоструктурний CuInP2S6 і встановлено, що при малих коефіцієнтах поглинання край формується непрямими міжзонними переходами, а при великих – за правилом Урбаха

Ключові слова


Край поглинання; Зонна структура; Високий тиск; Фазовий перехід

Повний текст:

PDF

Посилання


Maisonneuve V., Evain M., Payen C., Cajipe V.B., Molinie P. Room-temperature crystal structure of the layered CuIInIIIP2S6 // J.Alloys and Compounds. –1995. – Vol.218. – P. 157-164.

Maisonneuve V., Cajipe V.B., Simon A., Von Der Muhll R., Ravez J. Ferielectric ordering in lamellar CuInP2S6 // Phys. Rev. – 1997. – Vol.56. – №9. – P. 10860-10868.

Vysochanskii Yu., Beley L., Perechinskii S., Gurzan M.I., Molnar A.A., Mykajlo O., Tovt V., Stephanovich V. Phase transition and disordering effect in CuInP2S(Se)6 layered ferrielectrics // Ferroelectrics. – 2004. – Vol.298. – P. 361-366.

Studenyak I., Mitrovcii V., Kovacs Gy., Gurzan M., Mykajlo O., Vysochans-kii Yu., Cajipe V. Disordering effect on optical absorption processes in CuInP2S6 layered ferrielectrics // Phys. Stat. Sol. (b). – 2003. – V.236. – №3. – P. 678-686.

Біганич В.Ю., Куриця І.Ю., Шус-та В.С., Герзанич О.І. Край поглинання та фазова р,Т,-діаграма сегнет-електрика CuInP2(Se0,1S0,9)6 // Науковий вісник УжНУ. Сер.Фізика. – 2009. – №25. – С. 47-53.

Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous Electron Gas // Phys. Rev. – 1964. – Vol. 136, №3. – P. B864–B871.

Kohn W., Sham L.J. Self-Consistent Equations Including Exchange and Correlation Effects // Phys. Rev. – 1965. – Vol. 140, №4. – P. A1133–A1138.

Ceperley D.M., Alder B.J. Ground State of the Electron Gas by a Stochastic Method // Phys.Rev.Lett. – 1980. – Vol. 45, № 7. – P. 566–569.

Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. – М.: Наука, 1977. – 356 с.

Герзанич О.І. Сегнетоелектрики групи A2IVB2VC6VI під впливом високого тис-ку. – Львів: Видавець Сорока Т.Б., 2008. – 124 с.

Soler J.M., Artacho E., Gale J.D., Gar-cía A., Junquera J., Ordejón P., Sánchez-Portal D. The SIESTA method for ab initio order-N materials simulation // J. Phys.: Condens. Matter. – 2002. – V. 14, №11. – P. 2745–2779.

Artacho E., Anglada E., Dieguez O., Gale J.D., García A., Junquera J., Mar-tin R.M., Ordejón P., Pruneda J.M., Sánchez-Portal D. and Soler J.M. The SIESTA method; developments and applicability // J. Phys.: Condens. Matter 20, 064208 (2008).

Hartwigsen C., Goedecker S., Hutter J. Relativistic separable dual-space Gaussian pseudopotentials from H to Rn // Phys. Rev. B. – 1998. – V. 58, №7. – P. 3641–3662.

Troullier N. and Martins J.L. Efficient pseudopotentials for plane-wave calcula-tions // Phys. Rev. B. – 1991. – V. 43, №3. – P. 1993–2006.

Monkhorst H. J., Pack J. D. Special points for Brillouin-zone integrations // Phys. Rev. B. – 1976. – V. 13, № 12. – P. 5188-5192.

Urbach F. The long- wavelength edge of photographic and of the electronic absorption of solids // Phys.Rev. – 1953. – Vol.92. – P. 1324.

Mahr H. Ultraviolet absorption of KJDiluted in KCl crystals // Phys. Rev. – 1962. – V.125. – P. 1510-1516.

Mc Lean T.P. The absorption edge spectrum of semiconductors // Progressin semiconductors. – 1960. – V.50. – P. 53-102.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).