DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2013.33.63-70

ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА Sn2S3

М. М. Блецкан, О. О. Грабар

Анотація


В рамках теорії функціонала густини розраховані зонна структура, спектри повної та локальних парціальних густин станів кристала Sn2S3; за результатами розрахунків зроблено детальний аналіз структури валентних станів. Встановлено, що Sn2S3 є непрямозонним напівпровідником з теоретично оціненою шириною забороненої зони Egi = 0.53 еВ. Теоретично розраховані енергетичні розподіли повної та S3p-парціальної густин станів зіставлені з відомими експериментальними рентгенівськими фотоелектронним (РФЕС) та емісійним (РЕС) спектрами. Одержано карти електронної густини в різних площинах, які характеризують кристал як іонно-ковалентний з переважною концентрацією заряду на зв’язках S–Sn в координаційних y-тетраедрах і октаедрах. Встановлена роль неподіленої електронної пари у формуванні атомної і електронної структур Sn2S3

Ключові слова


Сесквісульфід олова; Електронна структура; Густина станів; Неподілена пара

Повний текст:

PDF

Посилання


Караханова М.И., Пашинкин А.С., Но-воселова А.В. Определение давления диссоциации твердых сульфидов олова // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1967. – Т.3, №11. С. 1979–1983.

Moh G.H. The Tin-Sulfur system and related minerals // N. Jb. Miner. Abh. – 1969. – V.111, №3. – Р. 227–263.

Alpen U.V., Fenner J., Gmelin E. Semi-conductors of the type MeIIMeIVS3 // Mater. Res. Bull. – 1975. – V.10, № 3. – Р.175–180.

Chandrasekhar H.R., Mead D.G. Long-wavelength phonons in mixed-valence semiconductor SnIISnIVS3 // Phys. Rev. B. – 1979. – V.19, №2. – Р. 932–937.

Mead D.G., Chandrasekhar H.R. Far infrared optical properties of SnIISnIVS3 // Infrared Physics. – 1980. – V. 20, №4. – Р. 245–247.

Wiedemeier H., Csillag F.J. Decomposition and thermodynamic properties of Sn2S3 // Z. anorg. allg. Chem. – 1980. – Bd. 469, №10. – Р.197–206.

De La Rocque A.G., Belin-Ferré E., Fontaine M.F., Senemaud C., Olivier-Fourcade J., Jumas J. C. X-ray spectroscopy investigation of the electronic SnSx and Li0.57SnS2 compounds // Phil. Mag. B. – V.80, №11. – Р.1933–1942.

Lefebvre I., Lannoo M., Olivier-Fourcade J., Jumas J.C. Tin oxidation number and the electronic structure of SnS–In2S3–SnS2 systems // Phys.Rev. B. – V.44, № 3. – Р.1004–1011.

Mootz D., Puhl H. Die Kristallstruktur von Sn2S3 // Acta. Cryst. – 1967. – V.23, № 3. – Р.471–476.

Kniep R., Mootz D., Severin U., Wunder-lich H. Structure of tin(II) tin(IV) trisulfide, a redermination // Acta Cryst. B. – 1982. – V.38, №7. –Р. 2022––2023.

Robin M.B., Day P. Mixed Valence Chemistry-A Survey and Classification // Adv. Inorg. Chem. Radiochem. – 1968. – V.10. – P.247–422.

http://www.abinit.org/

Gonze X., Beuken J.-M., Caracas R., Detraux F., Fuchs M., Rignanese G.-M., Sindic L., Verstraete G., Zerah G., Jol-let F., Torrent M., Roy A., Mikami M., Ghosez Ph., Raty J.-Y., Allan D.C. First-principle computation of material proper-ties: the ABINIT software project // Comp. Mat. Sci. B. – 2002. – V. 25, № 3. – P. 478– 492.

Soler J.M., Artacho E., Gale J.D., Garcia A., Junquera J., Ordejon P., Sanchez-Portal D. The SIESTA method for ab initio order-N materials simulation // J. Phys.: Condens. Matter. – 2002. – V. 14, №11. – P. 2745–2779.

http://icmab.cat/leem/siesta/

Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous Electron Gas // Phys. Rev. – 1964. – V. 136, №3. – P. B864–B871.

Kohn W., Sham L.J. Self-Consistent Equations Including Exchange and Correlation Effects // Phys. Rev. – 1965. – V.140, №4. – P. A1133–A1138.

Hartwigsen C., Goedecker S., Hutter J. Relativistic separable dual-space Gaussian pseudopotentials from H to Rn // Phys. Rev. B. – 1998. – V. 58, № 7. – P. 3641–3662.

Ceperley D.M., Alder B.J. Ground State of the Electron Gas by a Stochastic Method // Phys. Rev. Lett. – 1980. – V.45, №7. – P. 566–569.

Майзель А., Леонхардт Г., Сарган Р. Рентгеновские спектры и химическая связь. – Киев: Наукова думка, 1981. – 420 с.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).