DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2004.15.7-17

Резонансні спектри КР стекол системи As-S та частотні спектри кластерів AsnSm, розраховані методом “ab initio”

В. М. Міца, Р. М. Голомб

Анотація


Приведені резонансні спектри КР світла стекол системи As-S, зняті при λзб=488 і 785 нм. В поєднанні з експериментальними дослідженнями проведені квантово-механічні розрахунки КР спектрів кластерів AsnSm. Використані методи Хартрі-Фока (HF) і функціоналу густини (DFT).

Виявлено наявність в матриці структури склоподібного c-As2S3 структурних одиниць (с. о.) AsS3/2, As3/3, As2S4/2. Модельний фрагмент кластеру, в якому реалізується S-S зв’язок був взятий до уваги. В стеклах AsхS1-х, збагачених сіркою виявлено мікровключення деформованих пірамідальних с. о. AsS3 та кластерів As2S5.


Ключові слова


Халькогенідні стекла; As2S3; Атомна структура; Комбінаційне розсіювання; Резонансне комбінаційне розсіювання; Кластери; «Ab initio» розрахунки

Повний текст:

PDF

Посилання


Nemkritalyos szilard anyagok szerkezete es spektroszkoiai vizsgalata/ I.Beszeda, T. Hadhazy, S. Kokenyesi, V. Mitsa. // Nyiregyhaza–Ungvar. Patent. Uzhgorod – 1994. – 102 p.

Некристаллические полупроводники / А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян, С.П. Вихров, А.И. Попов. – М.: Высшая школа, 1995. – 356 с.

Cтеклообразные полупроводники для оптоэлектроники / Под ред. А.М.Андриеша. – Кишинев: Штиинца, 1991. – 198 с.

Лазерная литография на слоях As2S3 / Индутный И.З., Костюкевич С.А., Минько В.И., Стронский А.В., Шепелявый П.Е. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 1993. – №25. – С. 52–59.

Міца В. М. Кореляції структури, динамічної та променевої стійкостей широкозонних некристалічних напівпровідників: Автореф. дис. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Інф.- видавн. Центр Товариства “Знання” України. - К., 2003 – 26 с.

Sparks M. Material for high–power window and mirror coatings and multilayers dielectric reflectors // U.S. Dep. Commer. NBS Publ. – 1976. №462. – P. 203–213.

M. W. Schmidt, K. K. Baldridge, J. A. Boatz, S. T. Elbert, M. S. Gordon, J. J. Jensen, S. Koseki, N. Matsunaga, K. A. Nguyen, S. Su, T. L. Windus, M. Dupuis, J. A. Montgomery // J. Comput. Chem. 14, pp. 1347-1363 (1993).

V.A.Rassolov, J.A.Pople, M.A.Ratner, T.L.Windus // J.Chem.Phys. 109, pp. 1223-1229 (1998).

Ke.Tanaka. The charged defect exists? // J. Optoel. And Adv. Mat. – 2001. Vol. 3, №2, p. 189 -198

Mori T., Matsuishi K., Arai K. Vibrational properties and network topology of amorphous As–S system // J. Non–Cryst. Sol. – 1974. – Vol.65, №2. – P. 269–283.

Spectral dimensions and free volume in AsxS1–x glasses/ Mateleshko N., Veres M., Mitsa V., Melnichenko T., Rosola I. // Physics and Chemistry of Solid State (Ukraine). – 2000. –Vol.1, №2. – P. 241–244.

Bues W., Somer M., Brockner W. Shwinguns spectren von As4S4 and As4Se4 // Z. Anorg. Allg. Chem. – 1983. – Vol.499, №1. – P. 7–14.

Борисова З.У. Химия стеклообразных полупроводников. – Л.: Изд.ЛГУ, 1972. – 248 с.

Lucovsky G. Optic modes in amorphous As2S3 and As2Se3 // Phys. Rev. B. – 1971.-Vol. 6. – P. 1480–1489.

Zallen R., Slade M. Rigid–layer modes in chalcogenide crystals // Phys. Rev. B.– 1974. Vol.9, №4. – P. 1627–1637.

K. Tanaka. Wrong bond in glasses: A comparative study on oxides and chalcogenides // J. Optoelectronics and advanced materials. – 2002., 4 (3), P. 505-512.

Mamedov S., Kisluk A., Quitmann D. Effect of preparation conditions on the low frequency Raman spectrum of glassy As2S3 // J. Mater. Science –1998.– Vol.33. – P. 41–43.

Минаев В.С. Стеклообразные полупроводниковые сплавы. – М.: Металлургия, 1991. – 407с.

Malyj M., Griffiths J.E. Extended defect structures in bulk As2S3 glas: 1. The defects of thermal treatment on Raman spectra // Solid State Communication.– 1987.– Vol.62, №10. – P. 667–670.

F. Agullo-Reuda, J.D. Moreno, E. Montoya, R.Guerrero-Lemus and J.M. Martinez-Duart. Influence of wavelength on the Raman line shape in porous silicon // J. Appl. Phys. – 1998. - Vol 84, №10. – P. 2349-2351.

Mаtaleshko N.I., Mitsa V.M., Kikineshi O.O. Vibrational spectra and structural studies of Hg–As–S glasses // Fizika A. – 1999. – Vol.8, №1. – P. 17–24.

Billes F., Mitsa V., Fejes I., Mateleshko N., Fejesh I. Calculation of the vibrational spectra of arsenic sulfide clusters. Journal Molecular Structure-1999. Vol.513. - P. 109-115.

Fejesh I., Billesh F., Mitsa V. A theoretical study of effect on the vibrational spectrum of the stepwise by selenium substitution in arsenic pentasulfide// Journal of Molecular Structure . –2000. – Vol.531. . – P. 407- 414.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).