DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2000.6.241-258

ПОЛІМОРФІЗМ І МЕХАНІЗМ ФАЗОВИХ ПЕРЕТВОРЕНЬ В З'ЄДНАННЯХ ТИПУ AIVBVI

Д. І. Блецкан, Ю. В. Ворошилов, І. І. Мадяр

Анотація


Представлена повна кристаллоструктурной характеристика з'єднань AIVBVI (де AIV - Ge, Sn, Pb, BVI - S, Se, Ті) і описана трансформація структурних типів всіх з'єднань в процесах поліморфних перетворень. Вказано шляхи взаємних фазових переходів між певними структурними типами, обумовлені електронною структурою партнерів і переважним типом хімічного зв'язку в сполуках.

Ключові слова


Фазові переходи; Поліморфізм

Повний текст:

PDF

Посилання


Zachariasen W.H. The crystall latice of germano sulphide, GeS // Phys. Rev. 1932. V. 40. P. 917-922.

Bissert G., Hesse K.-F. Verfeinerung der Struktur von Germanium (II) - sulfid, GeS // Acta Cryst. 1978. V. B34. №4. P. 1322-1323.

Wiedemeier H., Schnering H.G. Refinement of the structures of GeS, GeSe, SnS and SnSe // Zeitschrift Kristallogr. 1978. Bd. 148. S. 295-303.

Okazaki A. The crystal structure of germanium selenide GeSe // J. Phys. Soc. Iapan. 1958. V. 13. №10. P. 1151-1155.

Kannewurf C.R., Kelly A., Cashman R.J. Comparison of three structure determinations for germanium selenide, GeSe // Acta Cryst. 1960. V. 13. №6. P. 449-450.

Dutta S.N., Jeffrey G.A. On the structure of germanium selenide and related binary IV-VI compounds // Inorg. Chem. 1965. V. 4. №9. P. 1363-1366.

Asanabe S., Okazaki A. Electrical properties of germanium selenide, GeSe // J. Phys. Soc. Japan. 1960. №6. P. 989-997.

Okazaki A., Ueda I. The ciystal structure of stannous selenide - SnSe // J. Phys. Soc. Japan. 1956. V. №4. P. 470-472.

Нестерова Я.М., Пашинкин A.C., Новоселова А.В. Определение давления насыщенного пара твердых селенида и телурида олова. // Журнал неорган. хи¬мии. 1961. Т. 6. №9. С. 2014-2018.

Кребс Г. Основы кристаллохимии не¬органических соединений. М.: Мир. 1971.304с.

Wiedemeier Н., Siemers P.A. The thermal expansion and high temperature transformation of GeSe.// Z. anorg. allg. Chem. 1975. Bd.411. S. 90-96.

Wiedemeier H., Siemers P.A. The thermal expansion of GeS and GeTe. // Z. anorg. allg. Chem. 1977. Bd. 431. S. 299¬304.

Wiedemeier H., Csillag F.J. The thermal expansion and high temperature transformation of SnS and SnSe. // Z. Kristallogr. 1979. Bd. 149.№l-2. S. 17-19.

Schnering H.G., Wiedemeier H. The high temperature structure of β-SnS and β-SnSe and В 16-to-B33 type λ-transition path. // Zeitschrift Kristallogr. 1981. Bd. 156. №1-2. S. 143-150.

Schiferl D. Bonding and crystal structures of average-valence-<5> compounds: A spectroscopic approach. // Phys. Rev. B. 1974. V. 10. №8. P. 3316-3329.

Littlewood P.B. The crystal structure of IV-VI compounds: I. Classification and description // J. Phys. C: Solid State Phys. 1980. V. 13. №5. P. 4855-4873.

Littlewood P.D. The crystal structure of IV-VI compounds: II. A microscopic model for cubic/rhombohedral materials. // J. Phys. C.: Solid State Phys. 1980. V. 13. №5. P. 4875-4892.

Schubert K., Fricke H. Kristallstruktur von GeTe. // Z. Naturforsch. 1951. Bd. 6. №12. S. 781-782.

Schubert K., Fricke H. Kristallchemie der B-Metall: Diskussion und Untersuchung trigonal verzerrten NaCl-strukturen. // Z. Metallkunde. 1953. Bd. 44. №9. S. 457¬461.

Шелимова Л.Е., Абрикосов H.X., Жданова B.B. Система Ge-Te в области соединения GeTe. // Журнал неорган. химии. 1965. Т. 10. С. 1200-1205.

Жукова Т.Б., Заславский А.И. Исследование фазового превращения и структуры а-GeTe. // Кристаллография. 1967. Т. 12. №1. С. 37-40.

Goldak I., Barrett С.S., Innes D., Youdelis W. Structure of alpha GeTe. // J. Chem. Phys. 1966. V. 44. №9. P. 3323-3325.

Карбанов С.Г., Зломанов В.П., Новоселова А.В. О фазовой диаграмме системы германий - телур. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1969. Т. 5. №7. с.1171-1174.

Вингалис Б.Ю. О γ-фазе GeTe. // ФТТ. 1978. Т. 20. №12. С. 3621-3626.

Ерофеев Р.С. Интерпретация полиморфных превращений в GeTe. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1978. Т. 14. №8. С.

Шелимова Л.Е., Абрикосов Н.Х. Система Sn-Te в области соединения SnTe. // Журнал неорган. химии. 1964. Т. 9. №8. С. 1879-1882.

Kafalas J.A., Mariano A.N. Science. 1964. V. 143. №3609. P.952.

Абрикосов H.X., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI. М.: Наука. 1975. 195 с.

Шелимова Л.Е., Томашик В.Н., Грыцив В.И. Диаграммы состояния в полу¬проводниковом материаловедении (системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb). М.: Наука. 1991.368 с.

Mariano A.N., Chopra K.L. Polymorphism in some IV-VI compounds induced by high pressure and thin-film epitaxial growth. // Appl. Phys. Letters. 1967. V. 10. № 10. P. 282-284.

Кабалкина C.C., Верещагин Л.Ф., Се¬ребряная H.P. Фазовые переходы в соединениях IV-VI групп при высоких давлениях. // ФТТ. 1968. Т. 10. №3. С. 733-739.

Chattopadhyay Т., Werner A., Schnering H.G., Pannetier J. Temperature and pressure induced phase transition in IV-VI compounds // Pev. Phys. Appl. 1984. 19. №9.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).