DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2001.10.43-46

Ab initio розрахунок коливальних спектрів структурних комплексів [P2S6] кристалів типу Sn2P2S6

В. В. Маслюк

Анотація


Наведено дані розрахунку просторового розподілу електронної густини, частот коливань атомів, інфрачервоних (ІЧ) спектрів та спектрів комбінаційного розсіювання (КР) світла для структурного комплексу (P2S6]4-. Встановлено добре узгодження розрахованих та експериментальних частот та інтенсивностей ІЧ та КР спектрів для кристалів Sn2P2S6, та Pb2P2S6.

Повний текст:

PDF

Посилання


Ю.М.Высочанский, В.Ю.Сливка, Сегпетоэлектрики семейства Sn2P2S6. Свойства в окрестности точки Лифгиица (Вища школа, Львов,. 1991).

M.W.Schmidt, K.K.Baldridge, J.A.Boatz, S.T.Elbert, M. S.Gordon, J.J.Jensen, S.Koseki, N.Matsunaga, K.A.Nguyen, S.Su, T.L.Windus, M.Dupuis, J.A.Montgomery, J. Comput. Chem. 14, 1347 (1993).

http://www.hyper.com/

В.М.Різак, І.М.Різак, Д.Г.Семак, Функціональні халькогенідні напівпровідники (Закарпаття, Ужгород, 2001.).

R.Krishnan, J.S.Binkley, R.Seeger, J. A.Pople, J. Chem. Phys. 72, 650 (1980).

H.Bürger, H.Falius, Z. anorg. und allgem. Chemie. 363, 24 (1968).

Д.М.Берча, Ю.В.Ворошшюв, В.Ю.Сливка, И.Д.Туряница, Сложные хапъкогениды и халькогапогениды. (Вища школа, Львов,. 1983.).


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).