DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.1999.5.30-32

Вплив температури і гідростатичного тиску на анізотропію діелектричних властивостей кристала Sn2P2S6

В. М. Кедюлич, О. Г. Сливка, О. І. Герзанич, П. П. Гуранич, В. С. Шуста, П. М. Лукач

Анотація


Досліджувався вплив тиску і температури на анізотропію діелектричної проникності кристала Sn2P2S6. Виявлено, що в околі фазового переходу має місце суттєва температурна і барична залежність параметра анізотропії без зміни орієнтації головних осей. Методом циліндра безпосередньо отримано перерізи вказівних поверхонь діелектричної проникності і тангенса кута діелектричних втрат площиною (010) та виявлено їх особливості.

Ключові слова


Вплив температури; Гідростатичний тиск; Властивості; Кристал

Повний текст:

PDF

Посилання


C. D. Carpentier, R. Nitsche. Mat. Res. Bull., 9, 1097(1974).

Майор М. М. и др. Кристаллография, 5, 5, 1300(1990).

Сливка О. Т. та ін. Вісник Ужгородського Університету, сер.Фізика, 2. 93(1998).

Дж. Най. Физические свойства кристаллов. М., Мир, (1967), 385 с.

Д. М. Берча и др. ФТТ, 39, 7, 1219 (1997).


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).