DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2005.17.95-98

n+ - n - InSe - n+ фототранзистор на основі симетричного гетеропереходу

О. М. Сидор

Анотація


Показано можливість виготовлення на основі InSe подвійного симетричного гетеропереходу оксид- InSe -оксид, усі компоненти якого мають n-тип провідності. Встановлено, що фототранзисторний ефект спостерігається в широкому діапазоні товщин бази: від 7 до 110 мкм. Значне підсилення фотоструму має місце лише для товщин, що співрозмірні з дифузійною довжиною неоновних носіїв заряду. Особливістю підсилення є перехід фототранзистора з високоомного в низькоомний стан лише при певних напругах і рівнях освітлен­ня. У режимі перемикання досягається значна густина струму ~ 200 мА/см2.Чим вищий рівень освітлення, тим менша напруга перемикання. Фоточутливість структур зафіксовано в діапазоні довжин хвиль 0,6—1,0 мкм.


Повний текст:

PDF

Посилання


В.Н.Катеринчук, З.Д.Ковалюк, О.Н.Сидор, ТКЭА 55, 38 (2005).

P.Gomes da Costa, R.G.Dandrea, R.F.Wallis et al„ Phys. Rev. В 48, 14135 (1993).

P.V.Galiy, T.M.Nenchuk, J.M.Stakhira, J. Phys. D, 34, 18(2001).

Landolt-Bomstein, Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. New Ser. Group 111: Crystal and Solid State Physics, Vol. 17, subvol.f, Ed. by O.Madelung (Springer, Berlin, 1983), p 562.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).