DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2018.44.64-74

Фотолюмінесценція кристалічного і склоподібного тіогерманату свинцю

Д. И. Блецкан, В. Н. Кабаций

Анотація


Наводяться результати порівняльного дослідження спектрів випромінювальної рекомбінації і збудження фотолюмінесценції, температурної залежності фотолюмінесценції, люкс-яркісних характеристик кристалічного і склоподібного PbGeS3 в інтервалі температур 77–300 К. Для обох фаз тіогерманату свинцю встановлено наявність широкої ІЧ-смуги випромінювання з великим стоксовим зсувом, температурне гасіння ФЛ, лінійні люкс-яркісні характеристики, що вказує на однотипність власних дефектів, які створюють локалізовані електронні стани в глибині забороненої зони, і контролюють процеси випромінювальної й безвипромінювальної рекомбінації в упорядкованій та невпорядкованій фазах.


Ключові слова


Тіогерманат свинцю; Фотолюмінесценція; Температурне гасіння ФЛ; Спектри збудження; Люкс-яркісні характеристики

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Bletskan D.I., Kabatsii V.M. Photoelectric properties of crystalline and glassy PbGeS3 // Open Journal of Inorganic Non-Metallic Materials. – 2013. – V. 3, № 3. – Р. 29–36.

Бордовский Г.А., Кастро Р.А. Изучение распределения релаксаторов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках методом изотермической релаксации тока // Изв. Российского гос. пед. ун-та им. А.И. Герцена. – 2002. Т. 2, № 4. – С. 7–16.

Bletskan M.M., Bletskan D.I., Kabatsii V.M. Electronic structure of PbSnS3 and PbGeS3 semiconductor compounds with the mixed cation coordination // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. – 2015. – V. 18, № 1. – P. 012–019.

Bletskan D.I., Kabacij V.N., Studenyak I.P., Frolova V.V. Edge absorption spectra of crystalline and glassy PbGeS3 // Optics and Spectroscopy. – 2007. – V. 103, № 5. – Р. 772–776.

Блецкан Д.И., Тербан В.П., Гурзан М.И., Поторий М.В. Получение, структура и фотоэлектрические свойства кристаллов PbGeS3 и Pb2GeS4 // Известия АН СССР. Неорган. материалы. – 1990. – Т. 26, № 3. – С. 509–514.

Ribes M., Qlivier-Fourcade J., Philippot E., Maurin M. Structure Cristalline d’un Tiogermanate de Plomb a Chaines Infinies (PbGeS3)n // Acta Crystallogr. B. – 1974. – V. 30, № 6. – P. 1391–1395.

Bletskan D. I., Hryha E. M., Kabatsii V. N. Raman and photoluminescence spectra of crystalline and glassy GeS2xSe2–2x solid solutions // Inorganic Materials. – 2007. – V.43, № 2. – Р. 105–111.

Street R.A. Luminescence in amorphous semiconductors // Adv. Phys. – 1976. – V. 25, № 1. – P. 397–417.

Васильев В.А., Мамонтова Т.А., Чернышев А.В. Механизм излучательной рекомбинации в стеклообразном и монокристаллическом GeSe2 // ФТТ. – 1982. – Т. 24, № 6. – С. 1769–1775.

Васильев В.А., Коломиец Б.Т., Ма-монтова Т.Н., Иванов Г.Хр. Излучательная рекомбинация в стеклообразных полупроводниках Ge2S3, Ge2Sе3 и Ge–Pb–S // Письма в ЖЭТФ. – 1975. – Т. 21, № 3. – С. 183–186.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).