DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2015.37.26-29

Барична поведінка діелектричної проникності кристалів TlIn(S0.99Se0.01)2

Р. В. Росул, П. П. Гуранич, О. О. Гомоннай, О. Г. Сливка, О. В. Гомоннай, І. Ю. Роман, П. П. Гуранич

Анотація


Досліджено діелектричні властивості кристалів TlIn(S0.99Se0.01)2 в околі фазових переходів при гідростатичних тисках до 700 МПа. Збільшення гідростатичного тиску призводить до зсуву аномалій діелектричної проникності в область вищих температур та появи при тисках р>500 МПа складної полікритичної області. Побудована фазова p,T-діаграма.


Ключові слова


Cегнетоелектрики; гідростатичний тиск; діелектрична проникність; фазові переходи

Повний текст:

PDF

Посилання


Gomonnai A.V., Petryshynets I., Azhniuk Yu.M., Gomonnai O.O., Roman I.Yu., Turok I.I., Solomon A.M., Rosul R.R., Zahn D.R.T. Growth and characterisation of sulphur-rich TlIn(S1−xSex)2 single crystals// Journal of Crystal Growth. –2013. – V.367. – P.35–41.

Panich A.M., Electronic properties and phase transition in low-dimensional semiconductors// J. Phys.: Condens. Matter. – 2008. – V.20, № 29. – 293202 (42 pp).

Mikailov F.A., Basaran E., Mammadov T.G., Seyidov M.Y., Senturk E., Currat R., Dielectric susceptibility behaviour in the incommensurate phase of TlInS2 //Physica B. Condensed Matter. – 2003. – V. 334, № (1-2). – Р.13-20.

Seyidov M.-H.Yu., Suleymanov R.A., Salehli F. Влияние „отрицательного химического“ давления на температуры фазовых переходов в слоистом кристалле TlInS2//ФТТ. – 2009. – Т.51. – №12. – С.2365 – 2370.

Gomonnai O.O., Rosul R.R., Guranich P.P., Slivka A.G., Roman I.Yu., Rigan M.Yu. Optical properties of TlInS2 layered crystal under ressure// High Pressure Research. – 2012. –Vol. 32, №1. – P. 39-42.

Gomonnai O.O., Guranich P.P., Rigan M.Y., Roman I.Y., Slivka A.G. Еffect of hydrostatic pressure on phase transitions in ferroelectric TlInS2// High Press. Research. –2008. – Vol. 28, № 4. – P. 615-619.

Gomonnai A.A., Guranich P.P., Slivka A.G., Rigan M.Yu., Roman I.Yu. Pressure behaviour of pyroelectric coefficient in TlInS2 and TlGaSe2 layered crystals// FTVD. –2009. – Vol. 19, №1. – P. 151-156.

Гомоннай О.О., Гуранич П.П., Сливка О.Г., Риган М.Ю., Роман І.Ю. Залежність діелектричних властивостей кристалів TlInS2. від температури та гідростатичного тиску //Науковий вісник Ужгородського університету. Серія фізика. – 2009. – №23. –C.126-129.

Guranich P.P., Rosul R.R., Gomonnai O.O., Slivka A.G., Roman I.Yu., Gomonnai A.V. Ferroelasticity of TlInS2 crystal// Solid State Communication. – April 2014. –184. –P.21-24.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).