DOI: https://doi.org/10.24144/2415-8038.2015.37.123-127

Фотоіндукована релаксація нанотвердості аморфних плівок Gе4060

В. В. Кузьма, В. С. Біланич, T. Чонаді, Ф. Лофай, M. Новак, Д. Немет, В. Ю. Лоя, В. М. Різак

Анотація


Представлено результати досліджень нанотвердості аморфних плівок Ge40Se60 при опроміненні лазерним променем з довжиною хвилі 655 нм. Виявлено експоненційне зменшення нанотвердості плівки Ge40Se60 під час лазерного опромінення та аналогічне зростання нанотвердості до початкового значення після припинення опромінювання. Знайдені числові значення релаксаційних параметрів фотоіндукованих змін нанотвердості. Показана кореляція динаміки фотоіндукованих змін нанотвердості з аналогічним процесом, виявленим при дослідженні “in situ” змін мікротвердості плівки Ge40Se60 при аналогічних умовах експерименту. Отримані результати пояснені у рамках інтрамолекулярної моделі фотоіндукованої пластичності. 


Ключові слова


Нанотвердість; фотоіндуковані зміни; тонкі плівки; халькогенідні стекла; Ge-As-Se

Повний текст:

PDF

Посилання


Д.Г. Семак, В.М. Різак, І.М. Різак. Фото- і термоструктурні перетворення халькогенідів. – Ужгород: Закарпаття, 1999. – 392 с.

Trunov M.L., Bilanich V.S., Polarization dependent photoplastic effect in As50Se50 chalcogenide glasses // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. –2004. - Vol.6, No.1. - Р.157–162.

Кузьма В.В., Біланич В.С., Flachbart K., Lofaj F., Csach K., Різак В.М. Фотоіндуковані зміни мікротвердості аморфних тонких плівок системи Ge-As-Se // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія: Фізика. -2014. –Вип.36. –С.51–57.

Мешалкин А. Ю. Цифровой метод измерения толщины нанометровых пленок на базе микроинтерферометра МИИ-4. // Электронная обработка материалов. – 2012. – Т.48. №6. – C.114–118.

Биланич В. С., Lofaj F., Flachbart К., Csach К., Кузьма В. В., & Ризак В. М. (2014). Наноиндентирование аморфных пленок системы Ge−As−Se. Физика твердого тела, Т.56. -№6. -С.1118-1122.

Трунов М. Л., Биланич В. С., Дуб С. Н. (2008). Исследование фотопластического эффекта в стеклообразных полупроводниках методом циклического наноиндентирования. Физика твердого тела, Т.50. -№11. -С.1978-1983.

Биланич В. С., Кикемезей С. С., Ризак И. М., Ризак В. М. Исследование динамики и механизмов деформирования тонких халькогенидных пленок As(Ge)2Se3 методом наноиндентирования // Физика твердого тела. – 2011. –Т. 53. – №11. -c.2200-2203.

Trunov M.L., Lytvyn P.M., Nagy P.M., Dyachyns’ka O.M. Real-time atomic force microscopy imaging of photo-induced surface deformation in AsxSe100−x chalcogenide films // Applied Physics Letters. - 2010. V.96. - №11. – Р.111908.

Bilanych V., Komanicky V., Feher A., Kuzma V., Rizak V. Electron-beam induced surface relief shape inversion in amorphous Ge4As4Se92 thin films // Thin Solid Films. – 2014. – 571. – Р.175-179.

Біланич В.С., Онищак В.Б., Різак І.М., Чах K., Флахбарт K., Різак В.М. Дослідження стекол GexAsySe100-x-y методом диференціальної скануючої калориметрії // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія: Фізика. – 2009. – Вип. 25. – С.24-30.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

ISSN: 2415-8038 (Print).