Зміст
Статті
| Власні та домішкові точкові дефекти й електронно-енергетичні характеристики ромбічного моносульфіду олова | |
| М. М. Блецкан, К. Є. Глухов, О. О. Грабар | 7-18 |
| Опис структури і симетрії коливного спектру кристалів Tl3TaS4 в концепції надпросторової симетрії | |
| О. В. Бокотей, І. І. Небола | 19-22 |
| Температурна та барична поведінка краю фундаментального поглинання монокристалів TlIn(S0,98Se0,02)2 | |
| Р. Р. Росул, П. П. Гуранич, О. О. Гомоннай, О. Г. Сливка, О. М. Хмара, О. В. Гомоннай, І. Ю. Роман | 23-28 |
| Фотоелектричні властивості кристалічного і склоподібного PbGeS3 | PDF (Русский) |
| Д. І. Блецкан, В. Н. Кабаций | 29-40 |
| Першопринципні розрахунки фононних спектрів кристалів Sn2 P2 S6 | |
| В. М. Сабадош, О. І. Чобаль, І. М. Різак, В. М. Різак | 41-48 |
| Дослідження імпедансу та електричної провідності в суперіонних стеклах системи (Ag3 AsS3)х(As2S3)1-х | |
| І. П. Студеняк, Ю. Ю. Неймет, А. Ф. Орлюкас, А. Кежоніс, Е. Казакевічюс, Т. Салкус | 49-54 |
| Моделювання електронної структури складних халькогенідів типу M2P2Se6 (M = Sn, Mn) | |
| В. Ю. Клевець, М. Д. Савченко, Т. М. Щурова, О. Г. Сливка | 55-62 |
| Анізотропія діелектричних властивостей кристалів СuInP2S6 | |
| О. В. Шуста, О. Г. Сливка, П. П. Гуранич, В. С. Шуста | 61-64 |
| Природа фазових переходів в аморфних плівках трисульфіду миш’яку | |
| М. Ю. Бобик, В. П. Іваницький, В. С. Ковтуненко, М. М. Рябощук | 65-70 |
| Область структурної кореляції в стеклах (GeS2)x(As2S3)1-x | PDF PDF (Русский) |
| А. Б. Кондрат, Н. И. Попович, В. М. Мица, Н. Д. Савченко | 71-78 |
| Мас-спектри парових потоків при випаровуванні матеріалів системи As-S та їх роль у формуванні аморфних плівок | |
| А. В. Далекорей, Ш. Ш. Демеш, В. С. Ковтуненко, Р. О. Мешко | 79-85 |
| Вплив змінного електричного поля на параметри випромінювання люмінофора на основі легованого ZnS:Cu | |
| І. Д. Рубіш, К. О. Попович, О. О. Балог | 86-89 |
| Фрактальні структури з елементами симетрії п’ятого порядку, що здатні захоплювати мікрохвильове випромінювання | |
| І. І. Небола, В. Я. Кіндрат | 90-98 |
| Рентгенолюмінесценція на іонах Tb3+ у склоподібному та полікристалічному тетрабораті літію, активованому ТbО2 | |
| П. П. Пуга, К. П. Попович, П. С. Данилюк, В. Н. Красилинец, Г. Д. Пуга, И. И. Турок, В. Ю. Лоя | 99-110 |
| До питання про енергетичну залежність перерізу реакції (,’) | |
| В. С. Бохінюк, В. І. Жаба, О. М. Парла | 111-115 |
| Переріз реакції (γ,n) на ядрі 120 Те В області е1-гігантського резонансу | |
| В. М. Мазур, Д. М. Симочко, З. М. Біган, П. С. Деречкей | 116-121 |
| Розробка алгоритму отримання узгоджених значень періодів напіврозпаду радіоактивних ядер | |
| М. В. Стець, Н. Н. Король, О. М. Поп, В. Т. Маслюк | 122-128 |
| Розсіяння електронів на іоні Si - | |
| В. Ф. Гедеон | 129-135 |
| Дослідження емісійних характеристик лазерної плазми алюмінію | |
| Л. В. Месарош, О. К. Шуаібов, М. П. Чучман | 136-139 |
| Розрахунки перерізів збудження кремнію електронним ударом | |
| Р. Ч. Ковдуш | 140-145 |
| Лампа бар’єрного розряду на сумішах інертних газів з парою важкої води | |
| Р. В. Грицак, О. К. Шуаібов, О. Й. Миня, З. Т. Гомокі | 146-150 |
| Фотолюмінесценція гліцину під дією лазерного збудження | |
| М. І. Мигович, В. А. Кельман, Ю. О. Шпеник | 151-155 |
| Резонансна структура перерізів розсіяння електронів на атомі вуглецю | |
| Л. О. Бандурина, В. Ф. Гедеон | 156-162 |
| Про бозонні розв’язки рівняння Дірака для вільного поля | |
| І. Ю. Кривський, Т. М. Заяць, В. М. Симулик, І. Л. Ламер | 163-173 |
| Про деякі наслідки з перетворень тангерліні | |
| С. Ю. Медведєв, І. Ф. Галамба | 174-184 |
| Вплив симетрії на обмін одним і двома електронами при повільних зіткненнях від’ємного іона водню з протоном | |
| В. Ю. Лазур, В. В. Поп, О. К. Рейтій, С. І. Мигалина | 185-195 |
| Параметричний опис абсолютної ефективності напівпровідникових детекторів для виміру активності об’ємних проб | |
| І. С. Потокі | 196-201 |
| Встановлення залежності загасання сигналу в одномодовому оптичному волокні типу G652 за умов наближених до експлуатаційних на довжинах хвиль 1310 нм і 1550 нм | |
| П. В. Маркевич, В. М. Різак | 202-210 |
| Вплив параметрів оточуючого середовища на характеристики нанокомпозитних плівкових структур золь-гельна SiO2 матриця – бактеріородопсин – квантові точки CdSe/ZnS | |
| І. І. Трикур, І. І. Сакалош, Г. Т. Горват, М. Ю. Січка, С. О. Корпош, Й. П. Шаркань, В. М. Різак | 211-219 |
| Професор Кривський Іван Юрійович | |
| В. М. Симулик | 220-223 |